由于对更快的速度、更短的产出时间和上市时间的需求，半导体器件变得越来越复杂。由于需要高特异性测量以生成具有亚埃级准确度的统计相关数据，因此扫描透射电子显微镜 (S)TEM 计量已成为所有前沿晶片制造工作流程的必要元件。该数据可使生产商校准工具集、诊断故障机制并优化总体工艺良率。
Thermo Fisher Scientific 可提供足够灵活的计量工作流程，可根据您的需要实现手动、半自动化甚至全自动化解决方案。Thermo Scientific Metrios AX 系统是首款致力于为半导体生产商提供快速精准测量、从而满足其晶片制造工艺开发和控制需求的 TEM。请浏览以下 Metrios 产品页面，了解更多信息。
TEM 计量工作流程示例
STEM 计量尺寸示例，用于评估 300 mm 光刻后（EUV 曝光）和刻蚀后晶片的线粗糙度 (LER/LWR)。这模拟了用于为 10 nm 技术节点生产栅极鳍片的多步图案化工艺的一部分。
STEM 计量尺寸示例，用于评估 300 mm 光刻后（EUV 曝光）和刻蚀后晶片的线粗糙度 (LER/LWR)。这模拟了用于为 10 nm 技术节点生产栅极鳍片的多步图案化工艺的一部分。
从平面切割的 3D NAND 存储位的能量散射 X 射线谱 (EDS) 元件图中提取计量，测量多晶硅通道、阻挡氧化层、隧穿氧化层和 Si3N4 陷阱层的圆形尺寸。
14 nm 鳍片切割样品的自动化计量测量示例，用于测量栅氧化层尺寸以及相对于两个重要工艺刻蚀步骤的鳍片高度。
STEM 计量尺寸示例，用于评估 300 mm 光刻后（EUV 曝光）和刻蚀后晶片的线粗糙度 (LER/LWR)。这模拟了用于为 10 nm 技术节点生产栅极鳍片的多步图案化工艺的一部分。
从平面切割的 3D NAND 存储位的能量散射 X 射线谱 (EDS) 元件图中提取计量，测量多晶硅通道、阻挡氧化层、隧穿氧化层和 Si3N4 陷阱层的圆形尺寸。
14 nm 鳍片切割样品的自动化计量测量示例，用于测量栅氧化层尺寸以及相对于两个重要工艺刻蚀步骤的鳍片高度。
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