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ELECTRICAL FAILURE ANALYSIS
ELITE System
Lock-In IR Thermography system for localization of defects in semiconductor devices.
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c7c8 – Haupt/Spezifikationen/Ressourcen/Anwendungen/Verfahren/Dokumente/Kontakt
The rapid innovations in advanced 2.5D and 3D packaging, complex interconnect schemes, and higher-performance power devices are creating unprecedented failure localization and analysis challenges. Defective semiconductor devices often show a variation in the local power dissipation, leading to local temperature increases. The Thermo Scientific ELITE System utilizes lock-in IR thermography (LIT) to accurately and efficiently locate these areas of interest and provide non-destructive 3D device insights. The ELITE System’s optics and InSb camera are specifically designed to achieve high localization resolution and sensitivity and solve the most difficult analytical challenges.
LIT, a form of dynamic IR thermography, provides maximum signal-to-noise ratio, increased sensitivity, and higher feature resolution compared to steady-state thermography. It is the ideal solution for the localization and analysis of line shorts, ESD defects, oxide damage, defective transistors, diodes, and device latch-ups. An optional laser scanning microscope enables high-resolution OBIRCH to complement the ELITE System’s thermal analysis capabilities.
The ELITE System is also available in the VX configuration, which provides all the features required for localizing defects in advanced power devices based on Si, SiC, or GaN technologies.
On-demand Spark Webinar: Semiconductor Packaging Challenges
- Very high sensitivity, InSb camera, and thermal emission optics enable nondestructive, through-package, and stacked die analysis
- Real-time lock-in measurement
- Contactless absolute temperature mapping
- Optical beam-induced resistance change (OBIRCH) option
- High-voltage power device analysis option (VX)
Formatvorlage für Produkttabellen-Spezifikationen
Lateral resolution |
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Depth resolution |
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| Defect types |
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Sample types |
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FOV |
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DUT stimulation |
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Time to results |
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*Performance may vary depending on sample and specific setup.
Style Sheet for Komodo Tabs
The ability to locate a thermal source in 3D makes the ELITE system well-suited for stacked-die analysis.
Sensitivity varies with power level.
The ability to locate a thermal source in 3D makes the ELITE system well-suited for stacked-die analysis.
Sensitivity varies with power level.
Pathfinding und Entwicklung von Halbleitern
Fortschrittliche Elektronenmikroskopie, fokussierter Ionenstrahl und zugehörige Analyseverfahren zur Identifizierung umsetzbarer Lösungen und Designmethoden für die Herstellung von leistungsstarken Halbleiterbauelementen.
Ausbeutesteigerung und Metrologie
Wir bieten fortschrittliche Analysemöglichkeiten für die Fehleranalyse, Metrologie und Prozesskontrolle, die die Produktivität erhöhen und die Ausbeute bei zahlreichen Halbleiteranwendungen und Halbleiterbauelementen verbessern.
Fehleranalyse von Halbleitern
Durch immer komplexere Strukturen von Halbleiterbauelementen können sich an mehr Stellen folgenschwere Mängel verbergen. Mit unseren Arbeitsabläufen der nächsten Generation können Sie auch kleinste Probleme in der Elektrik lokalisieren und charakterisieren, die sich auf die Ausbeute, Leistung und Zuverlässigkeit auswirken.
ESD-Halbleiterqualifizierung
Jeder Kontrollplan für elektrostatische Entladung (ESD) muss Geräte identifizieren können, die empfindlich auf elektrostatische Entladung reagieren. Wir bieten ein komplettes Angebot von Testsystemen für die Qualifizierung Ihrer Geräte.
Analyse von Leistungshalbleitern
Leistungshalbleiter stellen besondere Herausforderungen für die Lokalisierung von Fehlern dar, vor allem aufgrund der Architektur und des Aufbaus von Leistungshalbleitern. Unsere Geräte und Arbeitsabläufe für die Analyse von Leistungshalbleitern ermöglichen unter Betriebsbedingungen eine schnelle Bestimmung des Fehlerorts sowie eine präzise Hochdurchsatzanalyse zur Charakterisierung von Materialien, Schnittstellen und Bauelementstrukturen.
Fehleranalyse von Anzeigemodulen
Die Entwicklung von Anzeigetechnologien zielt darauf ab, die Anzeigequalität und die Effizienz der Lichtkonvertierung zu verbessern, um Anwendungen in verschiedenen Branchen zu unterstützen und gleichzeitig die Produktionskosten weiter zu senken. Unsere Lösungen für Prozessmesstechnik, Fehleranalyse und Forschung und Entwicklung helfen Unternehmen, die sich mit Anzeigen beschäftigen, diese Herausforderungen zu meistern.
Physikalische und chemische Charakterisierung
Die kontinuierliche Nachfrage der Verbraucher treibt die Entwicklung kleinerer, schnellerer und kostengünstigerer elektronischer Geräte voran. Ihre Fertigung basiert auf hoch produktiven Geräten und Arbeitsabläufen, die eine breite Palette von Halbleiterbauelementen und Anzeigegeräten abbilden, analysieren und charakterisieren.
Thermische Fehlerisolierung
Eine ungleichmäßige Verteilung der lokalen Verlustleistung kann zu großen, örtlich begrenzten Temperaturanstiegen führen, was zu Geräteausfällen führen kann. Wir bieten einzigartige Lösungen für die thermische Fehlerisolierung mit hochempfindlicher Lock-in-Infrarot-Thermographie (LIT).
Thermische Fehlerisolierung
Eine ungleichmäßige Verteilung der lokalen Verlustleistung kann zu großen, örtlich begrenzten Temperaturanstiegen führen, was zu Geräteausfällen führen kann. Wir bieten einzigartige Lösungen für die thermische Fehlerisolierung mit hochempfindlicher Lock-in-Infrarot-Thermographie (LIT).
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