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Displays are an essential part of our daily lives. Over the past decade, mainstream display technology has transitioned from LCD to OLED with new technologies such as quantum dot and micro-LED emerging. Resolution, luminance, form factor, reliability, and quality are driving continuous innovation in display development.

As display technologies advance, research and development, process metrology, and failure analysis challenges increase, requiring fast time-to-data and reliable solutions.

Engineering future generations of advanced display technology

Improving display quality and light conversion efficiency, while continuing to increase yields and reducing production costs is critical.

Mainstream (OLED) technology is striving to deliver a longer display life and new form factors, leading to the continued development of thin-film encapsulation (TFE) technology. The evolution from quantum dot enhancement film (QDEF) to electroluminescent QD LED demands precise characterization and control over the size and shape of the microstructure. For micro-LED, there is a continued desire to improve its external quantum efficiency and reduce leakage current.  

These advancements introduce new engineering challenges that necessitate nano-scale analysis, repeatable performance, and high-quality data from S/TEM based analytical workflows.

Anatomy of a cell phone.

Semiconductor process metrology for high-quality display device manufacturing

As designers shrink the dimensions of display technology, the need for high accuracy metrology increases. Reducing pixel size improves resolution, reducing the display thickness increases energy conversion. New architectures require the critical dimensions (CD) of the backplane and the light-emitting unit be controlled accurately in both lateral and vertical directions. Tighter design specifications require fast FIB/SEM based metrology with a high degree of automation and repeatability.

Failure analysis of display technology

Display device manufacturing is increasingly complex. Defects due to particles, contamination, or process deviations can impact panel yield and productivity. As pixel size shrinks laterally, and structural complexity increases, traditional optical inspection methods no longer detect all the “killer” defects. With defects occurring in the panel or the fully assembled display module, isolating the defect to a particular depth or vertical layer becomes more challenging. This places a greater premium on solutions and workflows that deliver thin slices through large volume samples with surgical precision and minimal damage while providing high-resolution images to identify defects quickly and confidently.

Thermo Fisher Scientific offers a unique and comprehensive set of workflows to meet the R&D, metrology, and defect characterization needs of the advanced display industry.

Example workflows
1. Display panel failure analysis workflow:

 

2. Display module assembly failure analysis workflow:



Resources

Applications

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Desarrollo y trazabilidad de semiconductores

Microscopía electrónica avanzada, haz de iones enfocado y técnicas analíticas asociadas para identificar soluciones viables y métodos de diseño para la fabricación de dispositivos semiconductores de alto rendimiento.

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Metrología y rampa de producción

Ofrecemos capacidades analíticas avanzadas para el análisis de defectos, metrología y control de procesos, diseñadas para ayudar a aumentar la productividad y mejorar el rendimiento en una amplia gama de aplicaciones y dispositivos semiconductores.

Análisis de fallos de semiconductores

Análisis de fallos de semiconductores

Las estructuras de dispositivos semiconductores cada vez más complejas dan lugar a que existan más ubicaciones en las que se oculten los defectos inducidos por fallos. Nuestros flujos de trabajo de última generación le ayudarán a localizar y caracterizar los sutiles problemas eléctricos que afectan a la producción, al rendimiento y a la fiabilidad.

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Caracterización física y química

La demanda continua de los consumidores impulsa la creación de dispositivos electrónicos más pequeños, más rápidos y más baratos. Su producción se basa en instrumentos y flujos de trabajo de alta productividad que generan imágenes, analizan y caracterizan una amplia gama de semiconductores y dispositivos de visualización.

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Cualificación de semiconductor ESD

Se necesita un plan de control de descarga electrostática (ESD) para identificar los dispositivos que son sensibles a ESD. Ofrecemos un conjunto completo de sistemas de prueba para ayudarle con los requisitos de cualificación de su dispositivo.


Techniques

Aislamiento de fallo térmico

La distribución desigual de la disipación de energía local puede causar aumentos de temperatura importantes y localizados, lo que provoca un fallo del dispositivo. Ofrecemos soluciones únicas para el aislamiento de fallos térmicos con termografía infrarroja de alta sensibilidad (LIT).

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Adquisición de imágenes y análisis de semiconductores

Thermo Fisher Scientific ofrece microscopios electrónicos de barrido para todas las funciones de un laboratorio de semiconductores, desde tareas generales de adquisición de imágenes hasta técnicas avanzadas de análisis de fallos que requieren mediciones precisas de contraste de tensión.

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Metrología de SEM

La microscopía electrónica de barrido proporciona datos de metrología precisos y fiables a escala nanométrica. La metrología SEM automatizada de resolución ultraalta permite un tiempo de producción y un de comercialización más rápidos para aplicaciones de memoria, lógica y almacenamiento de datos.

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Preparación de muestras de dispositivos semiconductores

Los sistemas DualBeam de Thermo Scientific proporcionan una preparación precisa de las muestras de TEM para el análisis a escala atómica de dispositivos semiconductores. La automatización y las tecnologías de aprendizaje automático avanzado producen muestras de alta calidad, en la ubicación correcta y con un bajo costo por muestra.

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Adquisición de imágenes y análisis TEM de semiconductores

Los microscopios de electrones de transmisión de Thermo Fisher Scientific ofrecen imágenes y análisis de alta resolución de dispositivos semiconductores, lo que permite a los fabricantes calibrar conjuntos de herramientas, diagnosticar mecanismos de fallos y optimizar la producción rendimiento general del proceso.

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Reestructuración de dispositivo

La contracción del tamaño de las características, junto con los resultados de diseño y arquitectura avanzados provocan fallos cada vez más complicados para los semiconductores. La reestructuración sin daños de los dispositivos es una técnica crucial para la detección de errores y fallos eléctricos interiores.

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Pruebas de conformidad con ESD

La descarga electrostática (ESD) puede dañar pequeñas características y estructuras en semiconductores y circuitos integrados. Ofrecemos un completo conjunto de equipos de prueba que verifica que sus dispositivos cumplen con los estándares de conformidad ESD.

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Aislamiento de fallo térmico

La distribución desigual de la disipación de energía local puede causar aumentos de temperatura importantes y localizados, lo que provoca un fallo del dispositivo. Ofrecemos soluciones únicas para el aislamiento de fallos térmicos con termografía infrarroja de alta sensibilidad (LIT).

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Adquisición de imágenes y análisis de semiconductores

Thermo Fisher Scientific ofrece microscopios electrónicos de barrido para todas las funciones de un laboratorio de semiconductores, desde tareas generales de adquisición de imágenes hasta técnicas avanzadas de análisis de fallos que requieren mediciones precisas de contraste de tensión.

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Metrología de SEM

La microscopía electrónica de barrido proporciona datos de metrología precisos y fiables a escala nanométrica. La metrología SEM automatizada de resolución ultraalta permite un tiempo de producción y un de comercialización más rápidos para aplicaciones de memoria, lógica y almacenamiento de datos.

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Preparación de muestras de dispositivos semiconductores

Los sistemas DualBeam de Thermo Scientific proporcionan una preparación precisa de las muestras de TEM para el análisis a escala atómica de dispositivos semiconductores. La automatización y las tecnologías de aprendizaje automático avanzado producen muestras de alta calidad, en la ubicación correcta y con un bajo costo por muestra.

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Adquisición de imágenes y análisis TEM de semiconductores

Los microscopios de electrones de transmisión de Thermo Fisher Scientific ofrecen imágenes y análisis de alta resolución de dispositivos semiconductores, lo que permite a los fabricantes calibrar conjuntos de herramientas, diagnosticar mecanismos de fallos y optimizar la producción rendimiento general del proceso.

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Reestructuración de dispositivo

La contracción del tamaño de las características, junto con los resultados de diseño y arquitectura avanzados provocan fallos cada vez más complicados para los semiconductores. La reestructuración sin daños de los dispositivos es una técnica crucial para la detección de errores y fallos eléctricos interiores.

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Pruebas de conformidad con ESD

La descarga electrostática (ESD) puede dañar pequeñas características y estructuras en semiconductores y circuitos integrados. Ofrecemos un completo conjunto de equipos de prueba que verifica que sus dispositivos cumplen con los estándares de conformidad ESD.

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Products

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ELITE System

  • Electrical defect localization
  • Thermal mapping
  • Advanced packaging analysis

Helios 5 PFIB DualBeam

  • Gallium-free STEM and TEM sample preparation
  • Multi-modal subsurface and 3D information
  • Next-generation 2.5 μA xenon plasma FIB column

Helios 5 HX/Helios 5 UX/Helios 5 FX DualBeam

  • Fully automated, high-quality, ultra-thin TEM sample preparation
  • High throughput, high resolution subsurface and 3D characterization
  • Rapid nanoprototyping capabilities

Talos F200E TEM

  • High-quality (S)TEM imaging of semiconductor and microelectronic devices
  • Precise, high-speed chemical characterization with EDS
  • Dedicated semiconductor-related applications
Thermo Scientific Apreo 2 scanning electron microscope (SEM)

Apreo 2 SEM

  • High-performance SEM for all-round nanometer or sub-nanometer resolution
  • In-column T1 backscatter detector for sensitive, TV-rate materials contrast
  • Excellent performance at long working distance (10 mm)

Spectra 200

  • High-resolution and contrast imaging for accelerating voltages from 30-200 kV
  • Symmetric S-TWIN/X-TWIN objective lens with wide-gap pole piece design of 5.4 mm
  • Sub-Angstrom STEM imaging resolution from 60 kV-200 kV

Spectra 300

  • Highest-resolution structural and chemical information at the atomic level
  • Flexible high-tension range from 30-300 kV
  • Three lens condenser system

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Electron microscopy services for
semiconductors

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